TPS1120DR

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Pieza del fabricante	TPS1120DR
Fabricante	Texas Instruments
Descripción	MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidad

En stock	2.224
Precio unitario	$ 2.10000

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TPS1120DR Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 P-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	15V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.17A
rds en (máx.) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	5.45nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
potencia - máx.:	840mW
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC

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