SIZ350DT-T1-GE3

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Pieza del fabricante	SIZ350DT-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descripción	MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	SIZ350DT-T1-GE3 PDF

Disponibilidad

En stock	6.004
Precio unitario	$ 1.19000

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SIZ350DT-T1-GE3 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	TrenchFET® Gen IV
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18.5A (Ta), 30A (Tc)
rds en (máx.) @ id, vgs:	6.75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	20.3nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	940pF @ 15V
potencia - máx.:	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerWDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	8-Power33 (3x3)

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