IRF7101PBF

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Pieza del fabricante	IRF7101PBF
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	HEXFET POWER MOSFET
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	IRF7101PBF PDF

Disponibilidad

En stock	3.542
Precio unitario	$ 0.25000

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IRF7101PBF Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	HEXFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.5A
rds en (máx.) @ id, vgs:	100mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	15nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	320pF @ 15V
potencia - máx.:	2W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO

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