DF11MR12W1M1B11BOMA1

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Pieza del fabricante	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	IGBT MODULE
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Disponibilidad

En stock	83
Precio unitario	$ 120.00000

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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Silicon Carbide (SiC)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200V (1.2kV)
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	50A
rds en (máx.) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	5.5V @ 20mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	125nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3950pF @ 800V
potencia - máx.:	20mW
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module

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