FDC3601N

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Pieza del fabricante	FDC3601N
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	FDC3601N PDF

Disponibilidad

En stock	10.218
Precio unitario	$ 0.57000

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FDC3601N Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1A
rds en (máx.) @ id, vgs:	500mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	5nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	153pF @ 50V
potencia - máx.:	700mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivos del proveedor:	SuperSOT™-6

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