SQJ912AEP-T1_GE3

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Pieza del fabricante	SQJ912AEP-T1_GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	SQJ912AEP-T1_GE3 PDF

Disponibilidad

En stock	782.730
Precio unitario	$ 1.22000

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SQJ912AEP-T1_GE3 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	30A
rds en (máx.) @ id, vgs:	9.3mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	38nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1835pF @ 20V
potencia - máx.:	48W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	PowerPAK® SO-8 Dual
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerPAK® SO-8 Dual

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