EFC6602R-TR

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Pieza del fabricante	EFC6602R-TR
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	EFC6602R-TR PDF

Disponibilidad

En stock	130.439
Precio unitario	$ 0.23000

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EFC6602R-TR Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
característica fet:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	12V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18A (Ta)
rds en (máx.) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.3V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	55nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
potencia - máx.:	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-XFBGA, WLCSP
paquete de dispositivos del proveedor:	6-WLCSP (1.81x2.7)

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