NTJD1155LT1G

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Pieza del fabricante	NTJD1155LT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - arreglos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	NTJD1155LT1G PDF

Disponibilidad

En stock	782.590
Precio unitario	$ 0.44000

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NTJD1155LT1G Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N and P-Channel
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	8V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.3A
rds en (máx.) @ id, vgs:	175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
potencia - máx.:	400mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	SC-88/SC70-6/SOT-363

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