NXPSC126506Q

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Pieza del fabricante	NXPSC126506Q
Fabricante	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descripción	SILICON CARBIDE POWER DIODE
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	diodos - rectificadores - simples
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidad

En stock	3.000
Precio unitario	$ 6.12000

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NXPSC126506Q Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Silicon Carbide Schottky
voltaje - dc inversa (vr) (max):	650 V
corriente - media rectificada (io):	12A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.7 V @ 12 A
velocidad:	No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	0 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	80 µA @ 650 V
capacitancia @ vr, f:	380pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-2
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220AC
temperatura de funcionamiento - empalme:	175°C (Max)

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