FD200R12PT4B6BOSA1

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Pieza del fabricante	FD200R12PT4B6BOSA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descripción	FD200R12 - IGBT MODULE
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - igbts - módulos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	FD200R12PT4B6BOSA1 PDF

Disponibilidad

En stock	86
Precio unitario	$ 166.67000

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FD200R12PT4B6BOSA1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configuración:	Three Phase Inverter
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1.2 V
corriente - colector (ic) (max):	300 A
potencia - máx.:	1.1 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 200A
corriente - corte del colector (máx.):	15 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	12.5 nF @ 25 V
aporte:	Standard
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module

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