GSID100A120T2C1

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Pieza del fabricante	GSID100A120T2C1
Fabricante	SemiQ
Descripción	IGBT MOD 1200V 200A 640W
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - igbts - módulos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Ficha de datos	GSID100A120T2C1 PDF

Disponibilidad

En stock	101.300
Precio unitario	$ 119.77833

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GSID100A120T2C1 Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	Amp+™
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	-
configuración:	Three Phase Inverter
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	200 A
potencia - máx.:	640 W
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
corriente - corte del colector (máx.):	1 mA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	13.7 nF @ 25 V
aporte:	Three Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:	Chassis Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module

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