NXH35C120L2C2ESG

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Pieza del fabricante	NXH35C120L2C2ESG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Categoría	productos semiconductores discretos
Familia	transistores - igbts - módulos
Ciclo vital:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilidad

En stock	168.827
Precio unitario	$ 55.08000

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NXH35C120L2C2ESG Especificaciones

Tipo	Descripción
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	-
configuración:	Three Phase Inverter with Brake
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	35 A
potencia - máx.:	20 mW
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
corriente - corte del colector (máx.):	250 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:	8.333 nF @ 20 V
aporte:	Three Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:	Yes
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
paquete de dispositivos del proveedor:	26-DIP

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